解密W79E217片内特性WINBOND芯片解密

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  W79E217特性
  全静态设计的8位4T8051 CMOS微控制器可达33MHz。
  64KB的系统内可编程Flash EPROM(AP Flash EPROM中)。
  4KB的辅助Flash EPROM的加载程序(LD闪存EPROM)。从LD的Flash EPROM,用户可以选择重新启动在P4.3或P3.6和P3.7拉低,外部复位。
  2KB辅助RAM,软件可选的,由MOVX指令访问。
  2KB的NVM数据Flash EPROM方便用户存储数据使用。
  256字节的片内暂存RAM。
  7个8位双向端口,P0口内部上拉电阻通过软件使能。
  1个4位多功能I / O端口4的芯片选择(CS)和引导功能。
  3个16位定时器。
  1个16位定时器3的运动反馈模块。
  运动反馈模块  QEI解码器和3个输入捕获。
  八通道12位PWM:
  可编程死区时间插入互补输出。
  三种模式:边沿对齐,居中对齐和单发射击。
  输出改写控制BLDC电机的应用。
  8通道10位ADC输入。
  两个增强型全双工UART的帧错误检测和自动地址识别。
  一个通道的I2C主/从功能。
  一个通道SPI主/从功能。
  LCD驱动器的输出:
  32段×4个通用。
  1/3占空比(1/3偏压),1/4占空比(1/3偏压)驱动模式可以选择。
  LCD驱动器输出引脚可被用来作为DC输出。
  针对外部RAM/外设的软件可编程存取周期。
  20个中断源,4级优先级。
  软件复位功能。
  在掉电模式ALE / PSEN可选的H / L状态。
  内置的电源管理。
  代码保护功能。
  封装类型:PQFP100
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